发明授权
CN105632785B 一种管状二氧化锰阵列复合电极材料的制备方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 一种管状二氧化锰阵列复合电极材料的制备方法
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申请号: CN201511016370.5申请日: 2015-12-29
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公开(公告)号: CN105632785B公开(公告)日: 2018-12-14
- 发明人: 王升高 , 刘星星 , 崔丽佳 , 陈睿 , 皮晓强 , 张维
- 申请人: 武汉工程大学
- 申请人地址: 湖北省武汉市洪山区雄楚大街693号
- 专利权人: 武汉工程大学
- 当前专利权人: 武汉工程大学
- 当前专利权人地址: 湖北省武汉市洪山区雄楚大街693号
- 代理机构: 湖北武汉永嘉专利代理有限公司
- 代理商 崔友明; 刘洋
- 主分类号: H01G11/86
- IPC分类号: H01G11/86 ; H01G11/24 ; H01G11/30 ; H01G11/46 ; H01G11/36 ; H01G11/38
摘要:
本发明公开了一种管状二氧化锰阵列复合电极材料的制备方法。包括以下步骤:在洁净的金属片上均匀涂覆上含纳米碳管的铸膜液,使其在金属片上形成具有均匀孔径的有机微滤薄膜;把所得金属片浸没于0.1~6mol/L含锰溶液中,然后在200~400℃高温下处理30~200min,使其在金属片上形成定向管状阵列结构的二氧化锰;将所得金属片放在惰性气体氛围中于400~1000℃高温下处理30~180min,金属片上即形成二氧化锰/纳米碳管/碳复合电极材料。其中,二氧化锰具有定向的管状阵列结构,纳米碳管/碳填充在二氧化锰周围。此结构不仅提高复合电极材料的导电性而且也能提高超级电容器的能量密度和功率密度。
公开/授权文献
- CN105632785A 一种管状二氧化锰阵列复合电极材料的制备方法 公开/授权日:2016-06-01