本发明属于晶体管阈值电压调控技术领域，涉及一种调控半导体纳米线场效应晶体管阈值电压的方法，将金属氧化物半导体材料或金属材料分别沉积在制备好的半导体纳米线场效应晶体管或纳米线阵列场效应晶体管上，对半导体纳米线场效应晶体管或纳米线阵列场效应晶体管的表面进行镀膜修饰，镀膜的厚度为0.2‑5nm，从而调控半导体纳米线场效应晶体管和纳米线阵列场效应晶体管的阈值电压，其工艺简单，操作简便，原理可靠，生产成本低，在电子开关器件、显示器、生物及化学传感器等领域有着广阔的应用前景，易于进行大规模工业生产。