• 专利标题: 基于不等式约束的无辅助电容式半桥/单箝位混联MMC自均压拓扑
  • 专利标题(英): Inequality constraint-based half-bridge/single clamped hybrid MMC self-equalizing topology free of auxiliary capacitor
  • 申请号: CN201610047415.3
    申请日: 2016-01-25
  • 公开(公告)号: CN105634317A
    公开(公告)日: 2016-06-01
  • 发明人: 赵成勇刘航许建中
  • 申请人: 华北电力大学
  • 申请人地址: 北京市昌平区回龙观镇北农路2号
  • 专利权人: 华北电力大学
  • 当前专利权人: 华北电力大学
  • 当前专利权人地址: 北京市昌平区回龙观镇北农路2号
  • 主分类号: H02M7/49
  • IPC分类号: H02M7/49 H02M1/32
基于不等式约束的无辅助电容式半桥/单箝位混联MMC自均压拓扑
摘要:
本发明提供基于不等式约束的无辅助电容式半桥/单箝位混联MMC自均压拓扑。半桥/单箝位混联MMC自均压拓扑中,半桥/单箝位混联MMC模型与自均压辅助回路通过辅助回路中的6N个辅助开关发生电气联系,辅助开关闭合,两者构成基于不等式约束的无辅助电容式半桥/单箝位混联MMC自均压拓扑,辅助开关打开,拓扑等效为半桥/单箝位混联MMC拓扑。在不强调两种拓扑差异的情况下,辅助开关中的6K个机械开关可以省略。该半桥/单箝位混联MMC自均压拓扑,可以箝位直流侧故障,同时不依赖于专门的均压控制,能够在完成直交流能量转换的基础上,自发地实现子模块电容电压的均衡,此外可以相应降低子模块触发频率和电容容值,实现MMC的基频调制。
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