Invention Publication
- Patent Title: 一种基于自适应功率管技术的无片外电容LDO电路
- Patent Title (English): Off-chip capacitor LDO circuit based on self-adaptive power tube technology
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Application No.: CN201610123783.1Application Date: 2016-03-04
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Publication No.: CN105676932APublication Date: 2016-06-15
- Inventor: 谭洪舟 , 李毓鳌 , 曾衍瀚 , 王阳 , 张鑫 , 唐诗豪
- Applicant: 广东顺德中山大学卡内基梅隆大学国际联合研究院 , 中山大学 , 中山大学花都产业科技研究院
- Applicant Address: 广东省佛山市顺德区大良街道办广东顺德中山大学卡内基梅隆大学国际联合研究院
- Assignee: 广东顺德中山大学卡内基梅隆大学国际联合研究院,中山大学,中山大学花都产业科技研究院
- Current Assignee: 广东顺德中山大学卡内基梅隆大学国际联合研究院,中山大学,中山大学花都产业科技研究院
- Current Assignee Address: 广东省佛山市顺德区大良街道办广东顺德中山大学卡内基梅隆大学国际联合研究院
- Agency: 广州粤高专利商标代理有限公司
- Agent 林丽明
- Main IPC: G05F1/56
- IPC: G05F1/56

Abstract:
本发明公开一种基于自适应功率管技术的无片外电容LDO电路,包括控制电压产生单元、第一级放大器、第二级放大器、频率补偿单元、主功率管和副功率管;所述控制电压产生单元用于产生控制电压Vctrl;第一级放大器的第一输入端与LDO输出端电连接,第二输入端与控制电压产生单元的输出端连接,第一级放大器的输出端分别与第二级放大器的输入端、频率补偿单元的第一端和副功率管的栅极电连接,主功率管的栅极与第二级放大器输出端电连接,主功率管和副功率管的源极接电源,主功率管和副功率管的漏极以及频率补偿单元的第二端与LDO输出端电连接,主功率管根据负载大小自动打开或关闭。本发明具有低工作电压、低空载电流、高环路增益、宽输出驱动范围的优点。
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