发明授权
- 专利标题: 一种CMOS器件抗单粒子闭锁的加固方法
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申请号: CN201610065541.1申请日: 2016-01-29
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公开(公告)号: CN105679658B公开(公告)日: 2018-06-26
- 发明人: 郭红霞 , 潘霄宇 , 罗尹虹 , 丁李利 , 张凤祁 , 魏佳男 , 赵雯 , 王园明 , 刘玉辉
- 申请人: 西北核技术研究所
- 申请人地址: 陕西省西安市69信箱
- 专利权人: 西北核技术研究所
- 当前专利权人: 西北核技术研究所
- 当前专利权人地址: 陕西省西安市69信箱
- 代理机构: 西安智邦专利商标代理有限公司
- 代理商 杨亚婷
- 主分类号: H01L21/263
- IPC分类号: H01L21/263 ; G01R31/26
摘要:
本发明公开了一种CMOS器件抗单粒子闭锁的加固方法,对CMOS器件进行中子辐照,通过中子辐照引入位移损伤,使器件CMOS反相器内部寄生双极晶体管的电流增益降低到不致发生P‑N‑P‑N闭锁,该加固方法是一种外部加固方法,不增加生产器件的工艺步骤,不用针对单粒子闭锁效应重新设计器件版图,不增加原有系统的复杂性。因此,不会改变器件的固有尺寸,也不会增加外围电路。
公开/授权文献
- CN105679658A 一种CMOS器件抗单粒子闭锁的加固方法 公开/授权日:2016-06-15