本发明提供一种TFT基板的制作方法，通过在栅极扫描线的侧边形成防静电凸块，之后在层间绝缘层上形成对应所述防静电凸块上方的第二过孔，从而在沉积源漏极金属层后，所述源漏极金属层通过第二过孔与所述栅极扫描线侧边的防静电凸块相接触，由于所述栅极扫描线连接第一、第二栅极，从而所述源漏极金属层与所述第一、第二栅极相连接，同时所述源漏极金属层还与多晶硅层相连接，从而使得多晶硅层与第一、第二栅极之间的电压为零，不仅能够确保在源漏极金属层的成膜过程中不会发生静电放电现象，而且能够有效降低在源漏极金属层的光刻制程完成前静电放电现象的发生率。