- 专利标题: 一种高质量钙钛矿薄膜、太阳能电池及其制备方法
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申请号: CN201610197458.X申请日: 2016-03-31
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公开(公告)号: CN105702864B公开(公告)日: 2018-07-13
- 发明人: 胡劲松 , 葛倩庆 , 丁捷 , 刘杰
- 申请人: 中国科学院化学研究所 , 中国科学院大学
- 申请人地址: 北京市海淀区中关村北一街2号
- 专利权人: 中国科学院化学研究所,中国科学院大学
- 当前专利权人: 中国科学院化学研究所,中国科学院大学
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区中关村北一街2号
- 代理机构: 北京知元同创知识产权代理事务所
- 代理商 刘元霞; 牛艳玲
- 主分类号: H01L51/42
- IPC分类号: H01L51/42 ; H01L51/48
摘要:
本发明公开了一种高质量钙钛矿薄膜、太阳能电池及其制备方法。所述方法结合溶剂浸泡辅助结晶,并且利用水和有机溶剂混合蒸汽辅助烘烤来制备高质量有机无机复合钙钛矿薄膜。所述方法制备得到结晶性好、大范围内均一、平整、无缺陷并无孔洞的高质量钙钛矿薄膜。所述制备方法操作简单,可操作性与可控性强,并且非常适合大面积钙钛矿薄膜太阳能电池的制备,因此在太阳能电池领域或其它科学领域具有巨大的潜在应用价值。
公开/授权文献
- CN105702864A 一种高质量钙钛矿薄膜、太阳能电池及其制备方法 公开/授权日:2016-06-22
IPC分类: