一种提高Cu2ZnSnS4半导体薄膜载流子迁移率的方法

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CN105734490B 一种提高Cu2ZnSnS4半导体薄膜载流子迁移率的方法有权

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专利标题： 一种提高Cu2ZnSnS4半导体薄膜载流子迁移率的方法
申请号： CN201610121455.8

申请日： 2016-03-03
公开(公告)号： CN105734490B

公开(公告)日： 2018-12-07
发明人: 丁建宁 , 郭华飞 , 袁宁一 , 张克智 , 李燕
申请人： 常州大学
申请人地址： 江苏省常州市武进区滆湖路1号
专利权人： 常州大学
当前专利权人： 常州大学
当前专利权人地址： 江苏省常州市武进区滆湖路1号
主分类号： C23C14/06
IPC分类号： C23C14/06 ; C23C14/34 ; C23C14/58

一种提高Cu2ZnSnS4半导体薄膜载流子迁移率的方法

摘要：

本发明涉及薄膜太阳电池制备技术领域，特指一种提高Cu2ZnSnS4半导体薄膜载流子迁移率的方法。其特征在于：在清洗后钠钙玻璃(SLG)上制备Si薄膜，在Si薄膜上制备CZT前驱体薄膜，将制备好的CZT前驱体薄膜在通有H2S的退火炉中高温退火，得到CZTS半导体薄膜；利用Si去替位Sn，Si的掺杂在晶粒与晶粒之间形成了快速通道，从而提高了载流子迁移率。

公开/授权文献

CN105734490A 一种提高Cu2ZnSnS4半导体薄膜载流子迁移率的方法公开/授权日：2016-07-06

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IPC分类:

C	化学；冶金
C23	对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C	对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）
C23C14/00	通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/06	.以镀层材料为特征的（C23C14/04优先）