发明授权
- 专利标题: MOS管参数退化的失效预警电路
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申请号: CN201610100316.7申请日: 2016-02-23
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公开(公告)号: CN105738789B公开(公告)日: 2018-09-28
- 发明人: 雷登云 , 陈义强 , 侯波 , 何春华 , 黄云 , 恩云飞
- 申请人: 工业和信息化部电子第五研究所
- 申请人地址: 广东省广州市天河区东莞庄路110号
- 专利权人: 工业和信息化部电子第五研究所
- 当前专利权人: 工业和信息化部电子第五研究所
- 当前专利权人地址: 广东省广州市天河区东莞庄路110号
- 代理机构: 广州华进联合专利商标代理有限公司
- 代理商 黄晓庆; 陶品德
- 主分类号: G01R31/26
- IPC分类号: G01R31/26
摘要:
本发明涉及一种MOS管参数退化的失效预警电路,包括MOS管应力施加电路、差分放大电路、放大输出电路和比较电路;MOS管应力施加电路与差分放大电路连接,差分放大电路与放大输出电路连接,放大输出电路与比较电路连接。MOS管应力施加电路对其中的MOS管施加应力,加速MOS管的参数退化,并输出对应的信号,经过差分放大电路进行差分放大,再经过放大输出电路进行放大输出,最后经过比较电路可获得MOS管参数退化预警信号,从而实时了解MOS管的参数退化情况,而且利用了差分放大电路,能消除应力施加电路的噪声和工艺偏差,同时对输出信号进行了放大,从而提高了对抗噪声的能力,增强了预警电路的灵敏性。
公开/授权文献
- CN105738789A MOS管参数退化的失效预警电路 公开/授权日:2016-07-06