- 专利标题: 一种LiGaGe2S6化合物和LiGaGe2S6非线性光学晶体及制备方法与应用
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申请号: CN201610077818.2申请日: 2016-02-03
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公开(公告)号: CN105753041B公开(公告)日: 2018-04-17
- 发明人: 梅大江 , 吴远东 , 张士艳
- 申请人: 上海工程技术大学
- 申请人地址: 上海市松江区龙腾路333号
- 专利权人: 上海工程技术大学
- 当前专利权人: 上海工程技术大学
- 当前专利权人地址: 上海市松江区龙腾路333号
- 代理机构: 上海科盛知识产权代理有限公司
- 代理商 王小荣
- 主分类号: C01G17/00
- IPC分类号: C01G17/00 ; C30B29/46 ; C30B11/00
摘要:
本发明涉及一种LiGaGe2S6化合物和LiGaGe2S6非线性光学晶体及制法和用途;所述的LiGaGe2S6化合物采用固相反应制备而成;所述的LiGaGe2S6非线性光学晶体不具有对称中心,属正交晶系,空间群为F d d 2(43),晶胞参数为采用高温熔体自发结晶法生长;所述的LiGaGe2S6非线性光学晶体用于制备非线性光学器件。与现有技术相比,本发明LiGaGe2S6非线性光学晶体具有比较宽的透光波段,硬度较大,机械性能好,不易碎裂和潮解,易于加工和保存等优点,具有很好的应用前景。
公开/授权文献
- CN105753041A 一种LiGaGe2S6化合物和LiGaGe2S6非线性光学晶体及制备方法与应用 公开/授权日:2016-07-13
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