发明授权
CN105762999B 一种永磁转子低谐波充磁方法和装置
失效 - 权利终止
- 专利标题: 一种永磁转子低谐波充磁方法和装置
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申请号: CN201610264517.0申请日: 2016-04-26
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公开(公告)号: CN105762999B公开(公告)日: 2018-05-22
- 发明人: 安跃军 , 薛力铭 , 安辉 , 孙丹 , 薛丽萍
- 申请人: 沈阳工业大学
- 申请人地址: 辽宁省沈阳市沈阳经济技术开发区沈辽西路111号
- 专利权人: 沈阳工业大学
- 当前专利权人: 沈阳工业大学
- 当前专利权人地址: 辽宁省沈阳市沈阳经济技术开发区沈辽西路111号
- 代理机构: 沈阳亚泰专利商标代理有限公司
- 代理商 韩辉
- 主分类号: H02K15/03
- IPC分类号: H02K15/03 ; H01F13/00
摘要:
一种永磁转子低谐波充磁方法和装置,其特点是通过设置多个调制式充磁极,使得整个充磁极表面被分割成多个齿状充磁极,每个充磁极的所占圆心角与充磁磁势之间分配成低谐波比例关系,以实现一种调制的永磁转子充磁极;利用调制式充磁极、充磁线圈和充磁电流制备低谐波永磁转子充磁装置,使充磁极在永磁转子成型过程中对永磁磁粉施加调制式磁场作用,使得永磁转子内磁粉材料内部磁畴发生调控性排列;在永磁转子成型后装入电机时产生的气隙磁场波形更加接近正弦波,本发明克服现有永磁转子充磁方法中气隙磁场非正弦波分布的不足,可减少谐波磁场的作用,益于改善永磁电机的性能,降低永磁电机的振动和噪声,提高永磁电机运行稳定性和可靠性。
公开/授权文献
- CN105762999A 一种永磁转子低谐波充磁方法和装置 公开/授权日:2016-07-13