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发明公开
CN105765662A 半导体装置及其写入方法 失效 - 权利终止

  • 专利标题： 半导体装置及其写入方法
  • 专利标题（英）： SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR WRITING THERETO
  • 申请号： CN201480064108.5
    申请日： 2014-08-26
  • 公开(公告)号： CN105765662A
    公开(公告)日： 2016-07-13
  • 发明人: 加藤纯男 , 上田直树
  • 申请人： 夏普株式会社
  • 申请人地址： 日本大阪府
  • 专利权人： 夏普株式会社
  • 当前专利权人： 夏普株式会社
  • 当前专利权人地址： 日本大阪府
  • 代理机构： 北京市隆安律师事务所
  • 代理商 权鲜枝
  • 优先权： 2013-243052 2013.11.25 JP
  • 国际申请： PCT/JP2014/072293 2014.08.26
  • 国际公布： WO2015/075985 JA 2015.05.28
  • 进入国家日期： 2016-05-24
  • 主分类号： G11C13/00
  • IPC分类号： G11C13/00 ;  G11C17/12 ;  H01L29/786
半导体装置及其写入方法
摘要：
半导体装置(1001)具备存储单元和写入控制电路，存储单元包含存储晶体管(10A)，存储晶体管(10A)具有含有金属氧化物的活性层(7A)，存储晶体管(10A)是能从漏极电流Ids依赖于栅极‐源极间电压Vgs的半导体状态不可逆地变为漏极电流Ids不依赖于栅极‐源极间电压Vgs的电阻体状态的晶体管，在将存储晶体管(10A)的阈值电压设为Vth，将漏极‐源极间电压设为Vds时，写入控制电路以满足Vgs≥Vds+Vth的方式对施加到漏极(9dA)、源极(9sA)以及栅极电极(3A)的电压进行控制，由此进行向存储晶体管(10A)的写入。
摘要（英）：

This semiconductor device (1001) comprises a memory cell and a write control circuit. The memory cell contains a memory transistor (10A) that has an active layer (7A) that contains a metal oxide. Said memory transistor (10A) can be irreversibly changed from a semiconductor state in which a drain current (Ids) depends on a gate-source voltage (Vgs) to a resistor state in which said drain current (Ids) does not depend on said gate-source voltage (Vgs). The write control circuit is designed so as to write to the memory transistor (10A) by controlling voltages applied to a drain (9dA), a source (9sA), and a gate electrode (3A) such that a threshold voltage (Vth) for the memory transistor (10A) and the drain-source voltage (Vds) satisfy the relation Vgs >= Vds + Vth.

公开/授权文献
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