发明授权
- 专利标题: 四氧化三钴纳米立方的水热制备方法及制备电极片的应用
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申请号: CN201610265839.7申请日: 2016-04-25
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公开(公告)号: CN105788882B公开(公告)日: 2018-08-07
- 发明人: 邓意达 , 何宇 , 胡文彬 , 韩晓鹏 , 钟澄
- 申请人: 天津大学
- 申请人地址: 天津市南开区卫津路92号天津大学
- 专利权人: 天津大学
- 当前专利权人: 安徽华淮澄膜科技有限公司
- 当前专利权人地址: 天津市南开区卫津路92号天津大学
- 代理机构: 天津市北洋有限责任专利代理事务所
- 代理商 王丽
- 主分类号: H01G11/46
- IPC分类号: H01G11/46 ; H01G11/86 ; C01G51/04
摘要:
本发明涉及四氧化三钴纳米立方的水热制备方法及制备电极片的应用;分别称取钴盐、碱、表面活性剂在去离子水中溶解;各取等体积的钴盐溶液、碱溶液分别进行恒温水浴,搅拌加热均匀后,将碱溶液加入到钴盐溶液中,反应完全后加入表面活性剂溶液,得到混合溶液;将混合溶液转入密封罐体中进行水热处理,得到黑色沉淀;将黑色沉淀依次经去离子水、无水乙醇洗涤,空气气氛下干燥,得到所述四氧化三钴纳米立方。将所述四氧化三钴纳米立方与导电剂和粘结剂混合,搅拌后得到浆料;将所述浆料均匀刮凃于预处理后的泡沫镍上,干燥,压片,即得所述电极片。本发明制备方法所需设备条件较简单,操作方便,制备成本低,适合于工厂化大规模生产。
公开/授权文献
- CN105788882A 四氧化三钴纳米立方的水热制备方法及制备电极片的应用 公开/授权日:2016-07-20