- 专利标题： 应用于傅里叶彩色全息的硅纳米砖阵列结构及其设计方法
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申请号： CN201610366975.5申请日： 2016-05-27
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公开(公告)号： CN105807598B公开(公告)日： 2019-03-19
- 发明人: 郑国兴 , 李子乐 , 吴伟标 , 吕良宇 , 王宇 , 刘国根
- 申请人： 武汉大学
- 申请人地址： 湖北省武汉市武昌区珞珈山武汉大学
- 专利权人： 武汉大学
- 当前专利权人： 武汉大学
- 当前专利权人地址： 湖北省武汉市武昌区珞珈山武汉大学
- 代理机构： 武汉科皓知识产权代理事务所
- 代理商 胡艳
- 主分类号： G03H1/16
- IPC分类号： G03H1/16 ; G03H1/04 ; B82Y30/00 ; B82Y40/00
摘要：
本发明公开了一种应用于傅里叶彩色全息的硅纳米砖阵列结构及其设计方法，利用硅纳米砖的磁共振效应，实现特定波长的高效反射；通过设计不同大小的硅纳米砖，使其分别对红、绿、蓝三基色光实现窄带响应；利用硅纳米砖的朝向角对入射光位相进行精密调节，实现位相型傅里叶彩色全息。本发明工艺简单，可广泛用于真彩色显示、信息存储、防伪等领域。
公开/授权文献
- CN105807598A 应用于傅里叶彩色全息的硅纳米砖阵列结构及其设计方法 公开/授权日：2016-07-27
