发明授权
- 专利标题： 具有多个射极指的双极性接面晶体管
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申请号： CN201610040445.1申请日： 2016-01-21
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公开(公告)号： CN105810584B公开(公告)日： 2018-12-28
- 发明人: H·丁 , V·贾恩 , Q·刘
- 申请人： 格罗方德半导体公司
- 申请人地址： 英属开曼群岛大开曼岛
- 专利权人： 格罗方德半导体公司
- 当前专利权人： 格芯(美国)集成电路科技有限公司
- 当前专利权人地址： 英属开曼群岛大开曼岛
- 代理机构： 北京戈程知识产权代理有限公司
- 代理商 程伟; 王锦阳
- 优先权： 14/601,655 2015.01.21 US
- 主分类号： H01L21/331
- IPC分类号： H01L21/331 ; H01L29/06 ; H01L29/08 ; H01L29/735
摘要：
本发明涉及具有多个射极指的双极性接面晶体管。用于双极性接面晶体管的装置结构、以及制造用于双极性接面晶体管的装置结构的方法。第一半导体层是在基材上形成，而第二半导体层是在第一半导体层上形成。蚀刻第一半导体层、第二半导体层及基材，以界定起自第二半导体层的第一与第二射极指、及位在基材中侧向置于第一与第二射极指之间的沟槽。第一半导体层可在装置结构中作用为基极层。
公开/授权文献
- CN105810584A 具有多个射极指的双极性接面晶体管 公开/授权日：2016-07-27
IPC分类:
