本发明提供一种像素结构与其制造方法，该像素结构包括扫描线、数据线、主动元件、像素电极。扫描线及数据线位于基板上。主动元件位于基板上，包括凸起物、栅极、半导体层、栅极绝缘层、源极以及漏极。凸起物具有上表面与位于上表面周边的多个侧表面。栅极覆盖凸起物且电连接扫描线。半导体层位于凸起物的上表面以及侧表面。栅极绝缘层位于栅极与半导体层之间。源极位于凸起物的至少一侧表面，与半导体层接触并电连接数据线。漏极位于凸起物的上表面上并与半导体层接触，漏极未覆盖位于凸起物的上表面与侧表面之间的转角部上的半导体层。像素电极电连接主动元件。本发明可在不损失像素结构开口率的同时，提升像素结构通道宽度与通道长度的比值。