发明授权
CN1058109C 半导体器件
失效 - 权利终止
- 专利标题： 半导体器件
- 专利标题（英）： Semiconductor device
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申请号： CN96103623.0申请日： 1996-03-18
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公开(公告)号： CN1058109C公开(公告)日： 2000-11-01
- 发明人: 上田哲也 , 柴田润 , 山世见之
- 申请人： 三菱电机株式会社
- 申请人地址： 日本东京
- 专利权人： 三菱电机株式会社
- 当前专利权人： 三菱电机株式会社
- 当前专利权人地址： 日本东京
- 代理机构： 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理商 杜日新
- 优先权： 60434/1995 1995.03.20 JP
- 主分类号： H01L23/10
- IPC分类号： H01L23/10 ; H01L23/04 ; H01L23/28 ; H01L23/34
摘要：
一种半导体器件，包括基板，基板上具有安装半导体元件的空腔和在腔的周边上的下降台阶表面，用于在其上边装配片状部件。半导体元件和片状部件易于由导体连到外部电路上。基板上加盖并把密封材料灌注到盖和基板之间的空间中使腔密封，并沿着腔的整个周边延伸的下降台阶表面上使片状部件包封。盖可以包括用于紧靠到下降台阶表面侧壁上的凸出，或者下降台阶表面可包括一个侧壁，侧壁有用于紧靠到盖的周边上的凸出。还可有附加到半导体元件上的散热器。
公开/授权文献
- CN1138215A 半导体装置 公开/授权日：1996-12-18
IPC分类:
