Invention Grant
- Patent Title: 一种微纳复合绒面结构黑硅、黑硅太阳能电池的制备方法
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Application No.: CN201610310039.2Application Date: 2016-05-12
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Publication No.: CN105826429BPublication Date: 2017-05-24
- Inventor: 王新 , 黄兰艳 , 黎明 , 陈振 , 周国富
- Applicant: 华南师范大学
- Applicant Address: 广东省广州市天河区中山大道西55号
- Assignee: 华南师范大学
- Current Assignee: 华南师范大学
- Current Assignee Address: 广东省广州市天河区中山大道西55号
- Agency: 长沙星耀专利事务所
- Agent 许伯严
- Main IPC: H01L31/18
- IPC: H01L31/18 ; H01L31/0236 ; C30B33/10
Abstract:
本发明涉及一种微纳复合绒面结构黑硅、黑硅太阳能电池的制备方法,其中一种微纳复合绒面结构黑硅的制备方法,包括以下步骤:将硅片进行雾化腐蚀获得具有绒面结构的硅片;将获得的具有绒面结构的硅片进行雾化腐蚀,在绒面结构上腐蚀出纳米尺度的孔洞或线结构,得到微纳复合绒面结构的黑硅,本发明的方法极大地降低了腐蚀成本,减少了表面复合,提高了光电转换效率,且操作简单可控,以及解决了全液相腐蚀法中重金属消耗多、不易清洗、纳米陷光结构深度过深的问题。
Public/Granted literature
- CN105826429A 一种微纳复合绒面结构黑硅、黑硅太阳能电池的制备方法 Public/Granted day:2016-08-03
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