发明授权
CN105826535B 三维多孔碳负载Na2Ge4O9复合物及其制备方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 三维多孔碳负载Na2Ge4O9复合物及其制备方法
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申请号: CN201610323970.4申请日: 2016-05-16
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公开(公告)号: CN105826535B公开(公告)日: 2018-09-11
- 发明人: 刘雪娇 , 宰建陶 , 钱雪峰 , 李波 , 何青泉 , 马对 , 李晓敏 , 张敏敏 , 刘园园 , 张洋 , 邹健 , 徐哲颖
- 申请人: 上海交通大学
- 申请人地址: 上海市闵行区东川路800号
- 专利权人: 上海交通大学
- 当前专利权人: 上海交通大学
- 当前专利权人地址: 上海市闵行区东川路800号
- 代理机构: 上海科盛知识产权代理有限公司
- 代理商 陈亮
- 主分类号: H01M4/36
- IPC分类号: H01M4/36 ; H01M4/485 ; H01M4/62 ; H01M10/0525 ; B82Y30/00
摘要:
本发明涉及三维多孔碳负载Na2Ge4O9复合物及其制备方法,以纳米碳膜组成的3D多级碳网为骨架,碳膜上镶嵌Na2Ge4O9纳米粒子的结构。Na2Ge4O9在循环过程中产生的Na2O、Li2O可以作为柔性基质缓解Ge充放电过程中的体积膨胀问题。而3D碳网一方面增加了材料的导电性,另一方面分散了Na2Ge4O9纳米粒子,提供Ge体积膨胀的空间。与现有技术相比,本发明利用简单易得的NaCl模板,制备出多级结构,方法简单,设计巧妙。所制备的材料得到很好的倍率性能和长循环稳定性。有很高的实际应用前景。
公开/授权文献
- CN105826535A 三维多孔碳负载Na2Ge4O9复合物及其制备方法 公开/授权日:2016-08-03