- 专利标题: 一种硒化铅量子点-石墨烯复合材料及其制备方法
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申请号: CN201610176411.5申请日: 2016-03-25
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公开(公告)号: CN105836716B公开(公告)日: 2017-11-10
- 发明人: 杜飞鹏 , 李晶晶 , 谢岁岁 , 张云飞 , 吴艳光 , 蒋灿
- 申请人: 武汉工程大学
- 申请人地址: 湖北省武汉市洪山区雄楚大街693号
- 专利权人: 武汉工程大学
- 当前专利权人: 清华大学天津高端装备研究院
- 当前专利权人地址: 湖北省武汉市洪山区雄楚大街693号
- 代理机构: 湖北武汉永嘉专利代理有限公司
- 代理商 张秋燕; 崔友明
- 主分类号: C01B19/04
- IPC分类号: C01B19/04 ; C01B32/184
摘要:
本发明提供了一种硒化铅量子点负载石墨烯复合材料及其制备方法,采用离子络合方法及氧化石墨烯片为硬模板制备。首先利用可溶性铅盐与氧化石墨烯中的羧酸基团的络合和静电作用,将铅离子固定在氧化石墨烯的表面,然后缓慢滴加少量碱性溶液,氢氧根离子和羧酸根离子间的静电排斥作用使得氧化石墨烯片层间保持一定间距;在氮气保护下制备硒的前驱体溶液,并将其加入氧化石墨烯‑铅离子络合物中回流反应;再加入还原剂将其中的氧化石墨烯片还原,制得硒化铅量子点负载石墨烯复合材料。本发明制备条件简单,操作便利,可多次重复,所得石墨烯‑量子点复合材料不仅具有石墨烯的高电子传输性能,而且具较高的赛贝克系数,在热电领域具有较好的应用前景。
公开/授权文献
- CN105836716A 一种硒化铅量子点-石墨烯复合材料及其制备方法 公开/授权日:2016-08-10