发明授权
CN105845664B 一种基于冗余金属的过孔结构及电迁移修正方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 一种基于冗余金属的过孔结构及电迁移修正方法
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申请号: CN201610341770.1申请日: 2016-05-20
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公开(公告)号: CN105845664B公开(公告)日: 2018-12-18
- 发明人: 陈晓明 , 耿保林 , 李松松 , 张建伟
- 申请人: 大连理工大学
- 申请人地址: 辽宁省大连市高新园区凌工路2号大连理工大学创新园大厦A328
- 专利权人: 大连理工大学
- 当前专利权人: 大连理工大学
- 当前专利权人地址: 辽宁省大连市高新园区凌工路2号大连理工大学创新园大厦A328
- 代理机构: 北京金之桥知识产权代理有限公司
- 代理商 朱黎光; 雷利平
- 主分类号: H01L23/538
- IPC分类号: H01L23/538 ; H01L21/768
摘要:
本发明涉及一种基于冗余金属的过孔结构及电迁移修正方法。本发明的一种基于冗余金属的过孔结构,包括过孔和导线,过孔与导线连接处的侧面和末端分别设置有侧面冗余金属和末端冗余金属。其有益效果是:本发明的基于冗余金属的过孔结构无需增加导线的线宽,只需增加小块冗余金属,相对于传统修正方法能避免占用过多布线资源。虽然仅仅是小小的改动,但大大的提高了芯片的集成度。能够突破传统末端冗余金属的限制,在末端冗余达到关键长度后能进一步减小电迁移影响,提高互连线寿命。在电流不会流经的区域增加了较小的冗余金属,不会对时序造成过大影响。还具有制备工艺简单、制备成本低廉和使用寿命长的优点。
公开/授权文献
- CN105845664A 一种基于冗余金属的过孔结构及电迁移修正方法 公开/授权日:2016-08-10
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