本发明提供一种半导体器件及其制造方法和电子装置，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有多个鳍片，以及位于每个所述鳍片顶面上的应力层；沉积形成接触孔蚀刻停止层，以覆盖所述半导体衬底的表面、所述鳍片的侧壁以及所述应力层的顶面和侧壁；形成第一层间介电层，以填充相邻鳍片之间的间隙，在所述第一层间介电层中形成有填充空洞；回蚀刻所述第一层间介电层停止于所述填充空洞的上方；在剩余的所述第一层间介电层暴露的表面上形成阻挡衬垫层；在所述阻挡衬垫层上形成第二层间介电层。根据本发明的制造方法，避免了应力层对于器件的污染，提高了介电层的强度和致密性，同时增大了工艺窗口，进而提高了器件的良率和性能。