- 专利标题: 一种超疏水微坑阵列芯片及其制备方法与应用
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申请号: CN201610232372.6申请日: 2016-04-14
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公开(公告)号: CN105861309B公开(公告)日: 2018-05-11
- 发明人: 刘鹏 , 张鹏飞 , 张健雄 , 边升太 , 程一淳
- 申请人: 清华大学
- 申请人地址: 北京市海淀区北京市100084信箱82分箱清华大学专利办公室
- 专利权人: 清华大学
- 当前专利权人: 清华大学
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区北京市100084信箱82分箱清华大学专利办公室
- 代理机构: 北京纪凯知识产权代理有限公司
- 代理商 关畅; 王春霞
- 主分类号: C12M3/00
- IPC分类号: C12M3/00 ; C12N5/071 ; C12N5/09
摘要:
本发明公开了一种超疏水微坑阵列芯片及其制备方法与应用。该超疏水微坑阵列芯片包括微坑阵列层,所述微坑阵列层上除微坑或微坑底部以外的表面为超疏水表面。所述超疏水微坑阵列芯片可为:1)微坑以外的表面为超疏水表面,超疏水微坑阵列芯片包括微坑阵列层和贴合在微坑阵列层表面上的超疏水层;2)微坑底部以外的表面为超疏水面,微坑阵列层包括基底层和贴合在基底表面的微孔阵列层,微孔阵列层是由超疏水材料制作的。本发明微坑阵列芯片在构建细胞微阵列过程中可以很低的成本实现细胞微阵列间的完全隔绝,避免细胞阵列之间交叉污染的发生,并且还保证了很好的生物相容性,对各种细胞的正常生长没有明显的影响,适宜于高通量细胞检测和分析。
公开/授权文献
- CN105861309A 一种超疏水微坑阵列芯片及其制备方法与应用 公开/授权日:2016-08-17