本发明提供一种半导体结构的制作方法，包括以下步骤：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成第一阻挡层、介电质层和第二阻挡层；定义第一金属区域和第二金属区域，在第一金属区域和第二金属区域内形成沟槽；第一金属区域内沟槽的横截面面积大于第二金属区域内沟槽的横截面面积；在第二阻挡层的上表面和沟槽的底部及其侧壁上形成第三阻挡层，并在第三阻挡层上形成金属层。可以使第一金属区域内的蚀刻速率小于第二金属区域内的蚀刻速率，在刻蚀完成后，第一金属区域内还保留有部分介电质层和第一阻挡层作为后续刻蚀的阻挡层，可以避免刻蚀过程对第一金属区域内金属层造成损伤；整个工艺过程不需要额外的掩膜层，简化了工艺步骤，节约了生产成本。