激光多极管封装底座的刻蚀方法
Abstract:
本发明公开了一种激光多极管封装底座的刻蚀方法,该激光多极管封装底座的刻蚀方法包括如下步骤:步骤1、分别取经预处理的待刻蚀组件,于其外表面上涂覆光刻胶,并将所述光刻胶图形化;步骤2、取经步骤1处理的待刻蚀组件,置于刻蚀液中进行湿法刻蚀处理;步骤3、取经步骤2处理的待刻蚀组件清洗处理;所述刻蚀液包括35~45wt%的HCl、2~5wt%的H3PO4和0.05~0.2wt%的CH3COONa,其提供了一种针对铁钴镍合金的刻蚀方法。
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