发明公开
- 专利标题： 纳米晶体的合成、盖帽和分散
- 专利标题（英）： Synthesis, capping and dispersion of nanocrystals
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申请号： CN201610251877.7申请日： 2011-04-25
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公开(公告)号： CN105931696A公开(公告)日： 2016-09-07
- 发明人: Z·S·高南·威廉姆斯 , Y·王 , 罗伯特·J·威塞克 , X·白 , L·郭 , 赛琳娜·I·托马斯 , W·徐 , J·徐
- 申请人： 皮瑟莱根特科技有限责任公司
- 申请人地址： 美国马里兰州
- 专利权人： 皮瑟莱根特科技有限责任公司
- 当前专利权人： 皮瑟莱根特科技有限责任公司
- 当前专利权人地址： 美国马里兰州
- 代理机构： 北京聿宏知识产权代理有限公司
- 代理商 刘华联; 刘烽
- 优先权： 61/327,313 2010.04.23 US; 61/407,063 2010.10.27 US
- 分案原申请号： 2011800306613 2011.04.25
- 主分类号： H01B1/14
- IPC分类号： H01B1/14 ; H01B1/20 ; H01B1/22 ; B82Y30/00 ; B82Y40/00
摘要：
本发明提供了一种制备纳米晶体的溶剂热方法，包括：将所述纳米晶体的至少一种前体溶解或混合于至少一种溶剂中以产生溶液；将所述溶液加热到大于250℃的温度至350℃的温度的温度范围以及100‑900psi的压力范围，以形成所述纳米晶体；其中，所述纳米晶体包括氧化锆、铪‑锆氧化物和钛‑锆氧化物中的至少一种。
公开/授权文献
- CN105931696B 纳米晶体的合成、盖帽和分散 公开/授权日：2017-07-07
