• 专利标题: 一种制备过氧化氢用单晶半导体氧化物阳极及电解槽
  • 申请号: CN201610568099.4
    申请日: 2016-07-19
  • 公开(公告)号: CN105970247B
    公开(公告)日: 2018-06-08
  • 发明人: 李国岭
  • 申请人: 李国岭
  • 申请人地址: 河南省洛阳市洛龙区开元大道262号大曌国际5-2-2103
  • 专利权人: 李国岭
  • 当前专利权人: 清旸技术(汕头)有限公司
  • 当前专利权人地址: 515000 广东省汕头市高新区科技西路6号杰思信息大厦7A09-2房
  • 代理机构: 洛阳公信知识产权事务所
  • 代理商 孙笑飞
  • 主分类号: C25B1/30
  • IPC分类号: C25B1/30 C25B11/06
一种制备过氧化氢用单晶半导体氧化物阳极及电解槽
摘要:
一种制备过氧化氢用单晶半导体氧化物阳极及电解槽,该阳极包括半导体氧化物层和承载该半导体氧化物层的基板,所述半导体氧化物层为晶向为{111}、{110}、{100}或{010}的纯相或掺杂钒酸铋单晶片。基板为导电玻璃,半导体氧化物层覆盖在导电玻璃的导电膜上。所述阳极设置在电解槽的槽壁上,电解槽内设有碱性电解液。在电解槽的电极上外加偏压,或在光照条件下外加偏压,则可在阳极区生成H2O2,在阴极区生成H2。
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