Invention Grant
- Patent Title: 一种半导体器件γ射线辐射响应的实时在线测试系统
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Application No.: CN201610518949.XApplication Date: 2016-07-05
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Publication No.: CN105974294BPublication Date: 2018-11-27
- Inventor: 慕轶非 , 赵策洲
- Applicant: 西交利物浦大学
- Applicant Address: 江苏省苏州市工业园区独墅湖高等教育区仁爱路111号
- Assignee: 西交利物浦大学
- Current Assignee: 西交利物浦大学
- Current Assignee Address: 江苏省苏州市工业园区独墅湖高等教育区仁爱路111号
- Agency: 苏州创元专利商标事务所有限公司
- Agent 范晴
- Main IPC: G01R31/26
- IPC: G01R31/26
Abstract:
本发明公开了一种半导体器件γ射线辐射响应的实时在线测试系统,包括半导体器件γ射线测试探针台和提供偏压‑脉冲测试的测量模块,所述测试探针台上安装有内置放射源的铅容器、自动取片器、和四个可程控的探针臂,其中三个探针臂上分别安装有一支探针,另一个探针臂上安装有显微镜,三支探针分别与所述偏压‑脉冲测量模块连接。本发明对半导体器件进行高精度远程置片、扎针,之后通过可程控的提供偏压‑脉冲测试的测量模块对半导体器件辐射损伤进行在线测试,并可以在待测器件被辐射的同时施加偏压,快速保存测量数据。使用该系统置片、扎针、取片精准高效,提高了测试效率与测试精度,避免了传统辐射测量手段带来的辐射损伤退化。
Public/Granted literature
- CN105974294A 一种半导体器件γ射线辐射响应的实时在线测试系统 Public/Granted day:2016-09-28
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