使用外延阻止层的选择性外延

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专利标题： 使用外延阻止层的选择性外延
专利标题（英）： Selective epitaxy using epitaxy-prevention layers
申请号： CN201610141028.6

申请日： 2016-03-11
公开(公告)号： CN105977142A

公开(公告)日： 2016-09-28
发明人: 郑政玮 , 金志焕 , J.A.奥特 , D.K.萨达纳
申请人： 国际商业机器公司
申请人地址： 美国纽约阿芒克
专利权人： 国际商业机器公司
当前专利权人： 国际商业机器公司
当前专利权人地址： 美国纽约阿芒克
代理机构： 北京市柳沈律师事务所
代理商 邱军; 赵国荣
优先权： 14/645,894 2015.03.12 US
主分类号： H01L21/20
IPC分类号： H01L21/20

摘要：

一种形成外延结构的方法，包括：在晶体半导体材料上设置二维材料，并打开该二维材料的一部分以暴露该晶体半导体材料。在该晶体半导体材料于打开的部分中外延生长一结构，使得该外延生长相对于该二维材料对暴露的所述晶体半导体材料具有选择性。

摘要（英）：

A method for forming an epitaxial structure includes providing a two-dimensional material on a crystal semiconductor material and opening up portions of the two-dimensional material to expose the crystal semiconductor material. A structure is epitaxially grown in the portions opened up in the crystal semiconductor material such that the epitaxial growth is selective to the exposed crystal semiconductor material relative to the two-dimensional material.

公开/授权文献

CN105977142B 使用外延阻止层的选择性外延公开/授权日：2019-08-13

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中国专利公布公告 Global Dossier Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/20	....半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长