Invention Grant
CN106009428B 一种二氧化硅填充PTFE复合材料及其制备方法
失效 - 权利终止
- Patent Title: 一种二氧化硅填充PTFE复合材料及其制备方法
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Application No.: CN201610318668.XApplication Date: 2016-05-13
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Publication No.: CN106009428BPublication Date: 2018-02-13
- Inventor: 李恩竹 , 李火军 , 冯哲圣 , 陈亚伟 , 孙怀宝 , 周晓华
- Applicant: 电子科技大学
- Applicant Address: 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
- Assignee: 电子科技大学
- Current Assignee: 电子科技大学
- Current Assignee Address: 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
- Agency: 电子科技大学专利中心
- Agent 张杨
- Main IPC: C08L27/18
- IPC: C08L27/18 ; C08K7/26
Abstract:
本发明涉及一种二氧化硅填充PTFE复合材料及其制备方法,用以制备低介电常数、低密度的PTFE工程材料,尤其用于轻型复合材料领域。本发明利用胶体碳球作为模板的同时,加入表面活性剂CTAB来增加反应效率,在强碱性条件下制备出中空二氧化硅纳米球形微粒,然后利用此微粒作为填充PTFE复合材料的填充粒子,最终得到中空二氧化硅纳米球形微粒填充PTFE复合材料。本发明制备二氧化硅填充PTFE复合材料,介电常数低2.1~2.8,密度低0.8~1.2g/cm3;其填充的二氧化硅,比表面积700~900m2/g,粒径均匀且处于400nm~1μm,结构中空球形,球壳厚度40~80nm,球形度高,制备效率高。
Public/Granted literature
- CN106009428A 一种二氧化硅填充PTFE复合材料及其制备方法 Public/Granted day:2016-10-12
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