发明授权
CN106025258B 硅胶包覆的尖晶石富锂锰酸锂正极材料的制备方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 硅胶包覆的尖晶石富锂锰酸锂正极材料的制备方法
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申请号: CN201610523396.7申请日: 2016-07-06
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公开(公告)号: CN106025258B公开(公告)日: 2019-06-14
- 发明人: 童庆松 , 王蕾 , 郭可可 , 黄雪红 , 彭建明 , 曾观音 , 赵南南 , 游帅帅 , 李秀华
- 申请人: 天津天锂能源科技有限公司 , 天津大学前沿技术研究院
- 申请人地址: 天津市武清区新兴路1号天津天锂能源科技有限公司
- 专利权人: 天津天锂能源科技有限公司,天津大学前沿技术研究院
- 当前专利权人: 天津天锂能源科技有限公司,天津大学前沿技术研究院
- 当前专利权人地址: 天津市武清区新兴路1号天津天锂能源科技有限公司
- 代理机构: 福州元创专利商标代理有限公司
- 代理商 蔡学俊
- 主分类号: H01M4/505
- IPC分类号: H01M4/505 ; H01M4/36 ; H01M10/0525
摘要:
本发明涉及硅胶包覆的尖晶石富锂锰酸锂正极材料的制备方法,其特征在于将化学组成为LixMnyOz的尖晶石富锂锰酸锂粉末与纳米硅胶粉末按照重量比1:0.0001~0.02混合,经过湿磨、干燥等步骤制备前驱物2;将前驱物2在300℃~380℃温度区间的任一温度烧结处理5小时~48小时,制得包覆硅胶的尖晶石富锂锰酸锂。本发明的原料成本较低,样品的大电流放电和存放性能有明显的改善,为产业化打下良好的基础。
公开/授权文献
- CN106025258A 硅胶包覆的尖晶石富锂锰酸锂正极材料的制备方法 公开/授权日:2016-10-12