发明授权
- 专利标题: 一种Cr3Al纳米线的制备方法
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申请号: CN201610369134.X申请日: 2016-05-27
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公开(公告)号: CN106048673B公开(公告)日: 2018-04-20
- 发明人: 陈贵锋 , 刘婉 , 秦爽 , 张辉 , 刘国栋
- 申请人: 河北工业大学
- 申请人地址: 天津市北辰区双口镇西平道5340号
- 专利权人: 河北工业大学
- 当前专利权人: 河北工业大学
- 当前专利权人地址: 天津市北辰区双口镇西平道5340号
- 代理机构: 杭州求是专利事务所有限公司
- 代理商 韩介梅; 万尾甜
- 主分类号: C25D3/56
- IPC分类号: C25D3/56 ; C23F1/26 ; B82Y40/00
摘要:
本发明公开了一种Cr3Al纳米线的制备方法,该方法是采用多孔阳极氧化铝(AAO)模板结合电化学沉积法,以Al2(SO4)3·7H2O、Cr2(SO4)3·6H2O、H3BO3和抗坏血酸的混合液为电镀液,并调节电镀液pH值为2.5~3.5,电镀生长后刻蚀掉模板,制备得到Cr3Al纳米线阵列。本发明的方法采用简单的电化学沉积工艺,通过对电镀液的选择及生长参数的调节,首次实现了在多孔阳极氧化铝的柱形微孔内制备铬三铝合金磁性纳米线有序阵列。
公开/授权文献
- CN106048673A 一种Cr3Al纳米线的制备方法 公开/授权日:2016-10-26