一种基于PMOS的新型双向模拟开关电路
摘要:
本发明涉及一种基于PMOS的新型双向模拟开关电路,其主要技术特点是:包括PMOS管T1、PMOS管T2、NMOS管T3和六个电阻,两个PMOS管的漏极相连,PMOS管T1的源极连接电阻R1,PMOS管T2的源极连接电阻R3,PMOS管T1的栅极连接电阻R1的另一端和电阻R2,PMOS管T2的栅极连接电阻R3的另一端和电阻R4,NMOS管T3的漏极连接电阻R2的另一端和电阻R4的另一端,NMOS管T3的栅极连接电阻R5和电阻R6,NMOS管T3的源极连接电阻R6的另一端和低电压端,电阻R5的另一端连接开关控制端。本发明采用高压、大电流场效应管,使双向模拟开关的导通电流和截止耐压大大提高,并且能够适应较宽的电压范围。
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