发明公开
CN106059549A 一种基于PMOS的新型双向模拟开关电路
无效 - 驳回
- 专利标题: 一种基于PMOS的新型双向模拟开关电路
- 专利标题(英): PMOS-based novel bidirectional analog switch circuit
-
申请号: CN201610380262.4申请日: 2016-05-31
-
公开(公告)号: CN106059549A公开(公告)日: 2016-10-26
- 发明人: 顾德明 , 李景云 , 杜洋 , 甄雪灵 , 赵恩海 , 张颖菁
- 申请人: 天津市三源电力设备制造有限公司 , 国家电网公司
- 申请人地址: 天津市北辰区北辰科技园区辽河北道8号
- 专利权人: 天津市三源电力设备制造有限公司,国家电网公司
- 当前专利权人: 天津市三源电力设备制造有限公司,国家电网公司
- 当前专利权人地址: 天津市北辰区北辰科技园区辽河北道8号
- 代理机构: 天津盛理知识产权代理有限公司
- 代理商 王来佳
- 主分类号: H03K17/10
- IPC分类号: H03K17/10 ; H03K17/12 ; H03K17/687
摘要:
本发明涉及一种基于PMOS的新型双向模拟开关电路,其主要技术特点是:包括PMOS管T1、PMOS管T2、NMOS管T3和六个电阻,两个PMOS管的漏极相连,PMOS管T1的源极连接电阻R1,PMOS管T2的源极连接电阻R3,PMOS管T1的栅极连接电阻R1的另一端和电阻R2,PMOS管T2的栅极连接电阻R3的另一端和电阻R4,NMOS管T3的漏极连接电阻R2的另一端和电阻R4的另一端,NMOS管T3的栅极连接电阻R5和电阻R6,NMOS管T3的源极连接电阻R6的另一端和低电压端,电阻R5的另一端连接开关控制端。本发明采用高压、大电流场效应管,使双向模拟开关的导通电流和截止耐压大大提高,并且能够适应较宽的电压范围。