- 专利标题: C/C-SiC复合材料及其制备方法和应用
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申请号: CN201610402611.8申请日: 2016-06-08
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公开(公告)号: CN106064951B公开(公告)日: 2019-05-14
- 发明人: 刘荣军 , 曹英斌 , 傅祥博 , 张长瑞 , 袁立 , 王衍飞 , 龙宪海 , 贺鹏博 , 严春雷
- 申请人: 中国人民解放军国防科学技术大学
- 申请人地址: 湖南省长沙市开福区德雅路109号
- 专利权人: 中国人民解放军国防科学技术大学
- 当前专利权人: 中国人民解放军国防科学技术大学
- 当前专利权人地址: 湖南省长沙市开福区德雅路109号
- 代理机构: 湖南兆弘专利事务所
- 代理商 赵洪; 黄丽
- 主分类号: C04B35/83
- IPC分类号: C04B35/83 ; C04B35/84 ; C04B35/65 ; C04B35/622 ; C04B41/91 ; C09K3/14
摘要:
本发明公开了一种C/C‑SiC复合材料及其制备方法和应用,C/C‑SiC复合材料包括碳纤维预制件、碳基体和碳化硅基体,所述碳基体和碳化硅基体均匀填充于所述碳纤维预制件的孔隙中,所述碳化硅基体包括第一碳化硅基体和第二碳化硅基体,所述第二碳化硅基体由气相渗硅烧结工艺引入。制备方法包括以下步骤:(1)引入碳基体;(2)分别引入第一碳化硅基体和第二碳化硅基体。该C/C‑SiC复合材料具有组分均匀、致密度高、基体颗粒细腻、摩擦稳定性高、热导率高和力学性能优异等优点。该制备方法工艺简单,所得复合材料性能优异。
公开/授权文献
- CN106064951A C/C‑SiC复合材料及其制备方法和应用 公开/授权日:2016-11-02
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