Invention Grant
CN106098137B 一种A位缺位的A、B位共掺杂钛酸锶混合导体材料
失效 - 权利终止
- Patent Title: 一种A位缺位的A、B位共掺杂钛酸锶混合导体材料
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Application No.: CN201610494526.9Application Date: 2016-06-30
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Publication No.: CN106098137BPublication Date: 2018-05-11
- Inventor: 单科 , 翟凤瑞 , 易中周 , 刘卫
- Applicant: 红河学院
- Applicant Address: 云南省红河哈尼族彝族自治州蒙自市红河学院内
- Assignee: 红河学院
- Current Assignee: 红河学院
- Current Assignee Address: 云南省红河哈尼族彝族自治州蒙自市红河学院内
- Agency: 红河州专利事务所
- Agent 朱跃平
- Main IPC: H01B1/08
- IPC: H01B1/08 ; H01B13/00 ; H01M4/86 ; H01M4/88
![一种A位缺位的A、B位共掺杂钛酸锶混合导体材料](/CN/2016/1/98/images/201610494526.jpg)
Abstract:
本发明是一种A位缺位的A、B位共掺杂钛酸锶的混合导体材料,它是钙钛矿型SrTiO3的A位是30mol%La的掺杂,B位是4mol%Sm的掺杂的产物,共掺杂后的分子式为:(La0.3Sr0.7)1‑xTi0.96Sm0.04O3−δ,其中x=0.05‑0.09。其制备步骤是:将含镧、钐、锶和钛的化合物按照(La0.3Sr0.7)1‑xTi0.96Sm0.04O3−δ化学计量比配置原料;将配置好的原料采用溶胶‑凝胶法在900‑1200℃、大气气氛中合成A位、B位共掺杂的SrTiO3粉体;将粉体磨成100‑200目的细粉;在细粉中加入10‑50%的可燃性物质压成型,在于1300‑1600℃温度下煅烧2‑12小时,得到混合导体块体。本发明在La掺杂基础上,通过采用不等价金属离子在其B位上掺杂,提高氧离子缺位浓度,改善了La掺杂SrTiO3的离子电导率和综合导电性能。
Public/Granted literature
- CN106098137A 一种A位缺位的A、B位共掺杂钛酸锶混合导体材料 Public/Granted day:2016-11-09
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