发明公开
- 专利标题: 一种钝化层制造方法及高压半导体功率器件
- 专利标题(英): Manufacturing method for passivation layer and high-voltage semiconductor power device
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申请号: CN201610704091.6申请日: 2016-08-23
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公开(公告)号: CN106098572A公开(公告)日: 2016-11-09
- 发明人: 何延强 , 吴迪 , 刘钺杨 , 和峰 , 徐哲 , 金锐 , 温家良 , 潘艳
- 申请人: 全球能源互联网研究院 , 国家电网公司 , 国网河北省电力公司
- 申请人地址: 北京市昌平区未来科技城北区国网智能电网研究院院内
- 专利权人: 全球能源互联网研究院,国家电网公司,国网河北省电力公司
- 当前专利权人: 全球能源互联网研究院,国家电网公司,国网河北省电力公司
- 当前专利权人地址: 北京市昌平区未来科技城北区国网智能电网研究院院内
- 代理机构: 北京安博达知识产权代理有限公司
- 代理商 徐国文
- 主分类号: H01L21/56
- IPC分类号: H01L21/56 ; H01L23/29 ; H01L23/31
摘要:
本发明提供了一种钝化层制造方法及高压半导体功率器件,所述方法包括通过丝网印刷在高压半导体功率器件上涂覆聚酰亚胺胶;对聚酰亚胺胶进行前烘和固化形成聚酰亚胺保护层;高压半导体功率器件采用上述方法制造。与现有技术相比,本发明提供的一种钝化层制造方法及高压半导体功率器件,不仅提高了半导体功率器件钝化层制造的工作效率并降低了工作成本,还提高了高压半导体功率器件的工作稳定性。
IPC分类: