具有选择性接合垫保护的CMOS-MEMS积体电路装置
摘要:
揭露一种用来制备半导体晶圆的方法和系统。在第一态样中,该方法包含:在该半导体晶圆上的图案化顶部金属上方设置钝化层;使用第一掩膜蚀刻该钝化层,以在该半导体晶圆中开启接合垫;在该半导体晶圆上沉积保护层;使用第二掩膜图案化该保护层;以及使用第三掩膜蚀刻该钝化层,以在该半导体晶圆中开启其它电极。该系统包含MEMS装置,其还包含第一基板和接合至该第一基板的第二基板,其中,该第二基板是由该方法的前述步骤所制备。
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