- 专利标题: 一种硫化钼/硒化钼复合材料及其制备和应用
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申请号: CN201610392008.6申请日: 2016-06-03
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公开(公告)号: CN106099053B公开(公告)日: 2019-11-08
- 发明人: 刘天西 , 张超 , 杨静 , 王开 , 刘思良 , 李乐
- 申请人: 东华大学
- 申请人地址: 上海市松江区松江新城人民北路2999号
- 专利权人: 东华大学
- 当前专利权人: 东华大学
- 当前专利权人地址: 上海市松江区松江新城人民北路2999号
- 代理机构: 上海泰能知识产权代理事务所
- 代理商 黄志达
- 主分类号: H01M4/36
- IPC分类号: H01M4/36 ; H01M4/58 ; H01M4/62 ; H01M10/0525 ; H01G11/24 ; H01G11/30 ; H01G11/86 ; B01J27/057 ; B82Y30/00 ; B82Y40/00
摘要:
本发明涉及一种硫化钼/硒化钼复合材料及其制备和应用,硫化钼/硒化钼复合材料为硫化钼纳米片表面原位生长硒化钼纳米片;其中硒化钼纳米片以卷曲的片状形式垂直生长在硫化钼纳米片层上。制备:通过超声辅助剥离法制备单层或少层硫化钼纳米片,再通过溶剂热法在单层或少层硫化钼纳米片上原位生长少层硒化钼纳米片。应用:在析氢催化剂、锂离子电池及超级电容器等能源领域有广泛的应用。本发明通过简单的制备工艺设计,在超声剥离的单层或少层硫化钼纳米片层上生长少层硒化钼纳米片层,获得具有多级孔的异质结构,改善其导电、催化等性能。
公开/授权文献
- CN106099053A 一种硫化钼/硒化钼复合材料及其制备和应用 公开/授权日:2016-11-09