发明授权
- 专利标题: MEMS器件及其制造方法
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申请号: CN201610526397.7申请日: 2016-07-01
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公开(公告)号: CN106115602B公开(公告)日: 2017-10-31
- 发明人: 闻永祥 , 刘琛 , 季锋 , 覃耀慰
- 申请人: 杭州士兰集成电路有限公司
- 申请人地址: 浙江省杭州市经济技术开发区10号大街(东)308号
- 专利权人: 杭州士兰集成电路有限公司
- 当前专利权人: 杭州士兰集成电路有限公司
- 当前专利权人地址: 浙江省杭州市经济技术开发区10号大街(东)308号
- 代理机构: 北京成创同维知识产权代理有限公司
- 代理商 蔡纯; 张靖琳
- 主分类号: B81B3/00
- IPC分类号: B81B3/00 ; B81C1/00 ; H04R19/00
摘要:
公开了一种MEMS器件包括:基底,具有第一空腔;第一牺牲层,位于基底上,具有第二空腔;振动隔膜层,振动隔膜层的至少一部分由第一牺牲层支撑,振动隔膜层包括位于第二空腔上方的振动隔膜,振动隔膜朝向第二空腔的表面具有向第二空腔突出的突点;第二牺牲层,位于振动隔膜上,具有第三空腔,振动隔膜的至少一部分位于第三空腔内;背极板层,位于第二牺牲层上,背极板层的至少一部分由第二牺牲层支撑,背极板层包括位于第三空腔上方的背极板;防粘附层,位于基底和振动隔膜层之间、背极板层和振动隔膜之间的所有裸露表面上。本发明能够减小振动隔膜与基底之间的接触面积,以及由于防粘附层的疏水性和低表面粘附力,可以有效地减少或防止基底和振动隔膜层之间、背极板层和振动隔膜之间的粘连。
公开/授权文献
- CN106115602A MEMS器件及其制造方法 公开/授权日:2016-11-16