发明公开
- 专利标题: 一种真空蒸馏多级冷凝提纯粗铟的方法
- 专利标题(英): Method for purifying crude indium through vacuum distillation and multistage condensation
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申请号: CN201610490432.4申请日: 2016-06-29
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公开(公告)号: CN106119561A公开(公告)日: 2016-11-16
- 发明人: 杨斌 , 邓勇 , 张丁川 , 熊恒 , 戴卫平 , 陈威 , 陈浩 , 徐宝强 , 刘大春 , 郁青春 , 王飞 , 戴永年
- 申请人: 昆明理工大学 , 昆明鼎邦科技有限公司
- 申请人地址: 云南省昆明市五华区学府路253号
- 专利权人: 昆明理工大学,昆明鼎邦科技有限公司
- 当前专利权人: 昆明理工大学,昆明鼎邦科技股份有限公司
- 当前专利权人地址: 云南省昆明市五华区学府路253号
- 主分类号: C22B9/02
- IPC分类号: C22B9/02 ; C22B9/04 ; C22B58/00
摘要:
本发明涉及一种真空蒸馏多级冷凝提纯粗铟的方法,属于提铟技术领域。将粗铟粉碎成小块粗铟,将小块粗铟顶部放置冷凝装置,控制真空度为10~20Pa,然后以速率为5~10℃/min从25℃升温至400℃,以速率为5~10℃/min从400℃升温至1100℃,以速率为1~5℃/min从1100℃升温至1350~1450℃,在温度为1350~1450℃条件下一次蒸馏20~60min,蒸馏结束后温度降至150℃以下,中间层的冷凝装置上冷凝有高纯铟。该方法特点是由于金属冷凝温度的不同,通过多级冷凝使得杂质金属与铟分别冷凝在不同的盘里,从而达到除去粗铟中的杂质元素,提纯金属铟。
公开/授权文献
- CN106119561B 一种真空蒸馏多级冷凝提纯粗铟的方法 公开/授权日:2018-03-06