一种利用PECVD工艺淀积薄膜的方法和PECVD装置，该方法包括：将硅片置于反应腔室内，PECVD装置具有第一、二射频发生器，第一射频发生器的射频频率大于第二射频发生器；向反应腔室内通入反应气体，并使第一射频发生器产生第一射频信号、第二射频发生器在选定射频功率下产生第二射频信号，以在硅片上淀积薄膜，选定射频功率大于等于下限射频功率、小于等于上限射频功率，且根据硅片的曲率半径来确定：硅片的曲率半径大于第一预设值时，选定射频功率等于上限射频功率；硅片的曲率半径小于等于第一预设值时，选定射频功率小于上限射频功率。本方案减少了薄膜剥落、薄膜形成裂纹、形成空洞、甚至断片等问题发生的可能。