发明授权
- 专利标题： 防伪造变造装置
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申请号： CN201510175994.5申请日： 2015-04-14
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公开(公告)号： CN106157426B公开(公告)日： 2019-03-01
- 发明人: 张普胜 , 李东津 , 朱宰贤
- 申请人： 纳诺布雷克株式会社
- 申请人地址： 韩国京畿道
- 专利权人： 纳诺布雷克株式会社
- 当前专利权人： 纳诺布雷克株式会社
- 当前专利权人地址： 韩国京畿道
- 代理机构： 北京鸿元知识产权代理有限公司
- 代理商 姜虎; 陈英俊
- 优先权： 10-2014-0171854 2014.12.03 KR
- 主分类号： G07D7/00
- IPC分类号： G07D7/00 ; G07D7/04 ; G07D7/12 ; B42D25/28
摘要：
本发明涉及一种防伪造变造装置。本发明涉及的防伪造变造装置，其特征在于，包括：磁变物质含有部，其包含磁变物质，所述磁变物质在所施加的磁场发生变化时使反射光或透射光发生变化；粘结部，其形成在所述磁变物质含有部的一表面上，提供粘结力使所述磁变物质含有部附着于任意对象物上；其中，所述粘结部中的至少一部分的粘结力强于剩余部分的粘结力。
公开/授权文献
- CN106157426A 防伪造变造装置 公开/授权日：2016-11-23