倒装LED芯片及其形成方法
摘要:
本发明提供一种倒装LED芯片及其形成方法,形成方法包括:提供衬底;形成N型半导体层、有源层和P型半导体层;形成露出部分N型半导体层的开口;形成P、N电极层、绝缘反射层;形成P、N电极结构。倒装LED芯片包括衬底、N型半导体层、有源层、P型半导体层;P型半导体层上具有P电极层,开口中的N型半导体层上具有N电极层;覆盖于P型半导体层、P电极层、N型半导体层以及N电极层上的绝缘反射层;形成于绝缘反射层中,与P电极层电连接的P电极结构、与N电极层电连接的N电极结构。本发明的有益效果在于,绝缘反射层在起到绝缘隔离的作用的同时,还可以将部分光线反射至衬底,这有利于增加倒装LED芯片的透光率。
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