• 专利标题: 高品质因数温度稳定型低介电常数微波介电陶瓷Li2BaMgGeO5
  • 专利标题(英): High-quality-factor temperature-stable microwave dielectric ceramic Li2BaMgGeO5 with ultralow dielectric constant
  • 申请号: CN201610574128.8
    申请日: 2016-07-19
  • 公开(公告)号: CN106187105A
    公开(公告)日: 2016-12-07
  • 发明人: 方维双段炼苏和平
  • 申请人: 桂林理工大学
  • 申请人地址: 广西壮族自治区桂林市建干路12号
  • 专利权人: 桂林理工大学
  • 当前专利权人: 桂林理工大学
  • 当前专利权人地址: 广西壮族自治区桂林市建干路12号
  • 主分类号: C04B35/01
  • IPC分类号: C04B35/01 C04B35/622 C04B35/626
高品质因数温度稳定型低介电常数微波介电陶瓷Li2BaMgGeO5
摘要:
本发明公开了一种高品质因数温度稳定型低介电常数微波介电陶瓷Li2BaMgGeO5及其制备方法。(1)将纯度为99.9%(重量百分比)以上的Li2CO3、BaCO3、MgO和GeO2的原始粉末按Li2BaMgGeO5的组成称量配料;(2)将步骤(1)原料湿式球磨混合12小时,球磨介质为蒸馏水,烘干后在1100℃大气气氛中预烧6小时;(3)在步骤成型,最后在1150~1200℃大气气氛中烧结4小时;所述的粘结剂采用质量浓度为5%的聚乙烯醇溶液,聚乙烯醇的添加量占粉末总质量的3%。本发明制备的陶瓷在1200℃以下烧结良好,介电常数达到20.4~21.1,其品质因数Qf值高达83000-107000GHz,谐振频率温度系数小,在工业上有着极大的应用价值。(2)制得的粉末中添加粘结剂并造粒后,再压制
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