- 专利标题: 一种二元复合La2O3、Ta2O5掺杂钼阴极材料及其制备方法
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申请号: CN201610697857.2申请日: 2016-08-21
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公开(公告)号: CN106206215B公开(公告)日: 2018-03-09
- 发明人: 王金淑 , 董丽然 , 张杰 , 田明创 , 杨韵斐 , 赵冰心 , 张大业 , 张权
- 申请人: 北京工业大学
- 申请人地址: 北京市朝阳区平乐园100号
- 专利权人: 北京工业大学
- 当前专利权人: 北京工业大学
- 当前专利权人地址: 北京市朝阳区平乐园100号
- 代理机构: 北京思海天达知识产权代理有限公司
- 代理商 张立改
- 主分类号: H01J23/04
- IPC分类号: H01J23/04 ; H01J25/50
摘要:
一种二元复合La2O3、Ta2O5掺杂钼阴极材料及其制备方法,属于稀土难熔金属阴极材料技术领域。阴极基体中活性物质La2O3、Ta2O5成分的添加总量为3‑5wt%,其中Ta2O5的添加量为0.05‑0.5%;其余为Mo。将硝酸镧溶液、七钼酸铵溶液、柠檬酸溶液混合后添加氧化钽粉末,水浴加热,机械搅拌,烘干,最终形成干凝胶。干凝胶分解得到La2O3、Ta2O5掺杂MoO3粉末。氧化物混合粉末经过二次还原工艺获得的La2O3、Ta2O5掺杂钼粉。对粉体进行压制、烧结、碳化、激活、老练处理,获得具有良好发射性能的阴极材料。该材料热电子发射性能优异,满足微波炉磁控管中阴极的使用要求。
公开/授权文献
- CN106206215A 一种二元复合La2O3、Ta2O5掺杂钼阴极材料及其制备方法 公开/授权日:2016-12-07