发明公开
- 专利标题: 半导体装置
- 专利标题(英): Semiconductor device
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申请号: CN201510850009.6申请日: 2015-11-27
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公开(公告)号: CN106206329A公开(公告)日: 2016-12-07
- 发明人: 深山真哉 , 尾山幸史 , 谷口庆辅
- 申请人: 株式会社东芝
- 申请人地址: 日本东京
- 专利权人: 株式会社东芝
- 当前专利权人: 东芝存储器株式会社
- 当前专利权人地址: 日本东京
- 代理机构: 北京律盟知识产权代理有限责任公司
- 代理商 张世俊
- 优先权: 2015-110524 2015.05.29 JP
- 主分类号: H01L21/50
- IPC分类号: H01L21/50 ; H01L23/02 ; H01L23/538 ; H01L23/31
摘要:
本发明的实施方式提供一种半导体装置,能够抑制积层的多个半导体芯片间的间隔不均。本实施方式的半导体装置包含在第1面上设有第1凸块的半导体芯片。多个第1粘接部设置在半导体芯片的第1面上。第2粘接部设置在半导体芯片的第1面上,刚性比第1粘接部低。第2粘接部被设置为,与多个第1粘接部中离半导体芯片的第1面的中心或重心最远的第1粘接部相比,离该中心或该重心更远。
公开/授权文献
- CN106206329B 半导体装置 公开/授权日:2018-12-14
IPC分类: