本发明的监测晶圆以及金属污染的监测方法中，监测晶圆包括半导体衬底、金属扩散阻挡层、刻蚀阻挡层以及金属吸附层，所述金属扩散阻挡层形成于所述半导体衬底的一侧，所述刻蚀阻挡层形成于所述金属扩散阻挡层背离所述半导体衬底的一侧，所述金属吸附层形成于所述刻蚀阻挡层背离所述金属扩散阻挡层的一侧。本发明的金属污染的监测方法，提供所述监测晶圆，将所述监测晶圆放入待监测设备内，进行处理后取出，依次使用第一溶解溶液和第二溶解诶溶液处理，得到一监测溶液，测定所述监测溶液中金属的浓度。所述金属扩散阻挡层可以避免金属扩散到半导体衬底的内部，而主要被限制在所述金属吸附层中，从而提高金属浓度监测的可靠性。