Invention Grant
CN106233481B 场效应传感器及相关联的方法
失效 - 权利终止
- Patent Title: 场效应传感器及相关联的方法
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Application No.: CN201580019723.9Application Date: 2015-02-09
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Publication No.: CN106233481BPublication Date: 2019-03-29
- Inventor: S·博里尼 , R·怀特
- Applicant: 诺基亚技术有限公司
- Applicant Address: 芬兰埃斯波
- Assignee: 诺基亚技术有限公司
- Current Assignee: 诺基亚技术有限公司
- Current Assignee Address: 芬兰埃斯波
- Agency: 北京市中咨律师事务所
- Agent 葛荆; 杨晓光
- Priority: 1402772.6 2014.02.17 GB
- International Application: PCT/FI2015/050078 2015.02.09
- International Announcement: WO2015/121534 EN 2015.08.20
- Date entered country: 2016-10-14
- Main IPC: H01L51/05
- IPC: H01L51/05 ; G01N27/414 ; G01L1/16 ; G01K7/00

Abstract:
一种装置包括:第一层(512),其配置成使电荷载流子能够从源电极(505)流动到漏电极(506);第二层(513),其配置成响应于物理刺激生成电压,所述第二层(513)被定位成使得所生成的电压能够影响所述第一层(512)的电导;以及第三层(514),其被定位在所述第一层(512)和第二层(513)之间以阻止电荷载流子在其间流动。所述第三层(514)包括配置成响应于所生成的电压,在与所述第一层(512)和第二层(513)的界面处形成双电层(516,517)的材料。所述双电层(516,517)的形成增强所生成的电压对所述第一层(512)的电导的影响,使得对所述第一层(512)的电导的确定能够被用于允许得出所述物理刺激的量值。
Public/Granted literature
- CN106233481A 场效应传感器及相关联的方法 Public/Granted day:2016-12-14
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IPC分类: