发明授权
CN106244984B 一种a轴取向增强型AlN薄膜及其制备方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 一种a轴取向增强型AlN薄膜及其制备方法
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申请号: CN201610633215.6申请日: 2016-08-04
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公开(公告)号: CN106244984B公开(公告)日: 2018-08-31
- 发明人: 杨成韬 , 牛东伟 , 唐佳琳 , 胡现伟 , 泰智薇
- 申请人: 电子科技大学
- 申请人地址: 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
- 专利权人: 电子科技大学
- 当前专利权人: 电子科技大学
- 当前专利权人地址: 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
- 代理机构: 成都点睛专利代理事务所
- 代理商 葛启函
- 主分类号: C23C14/06
- IPC分类号: C23C14/06
摘要:
本发明公开了一种a轴取向增强型AlN薄膜及其制备方法,属于电子信息功能材料与器件技术领域。本发明采用如下制备方法:采用n型的Si(100)衬底,将其放入磁控溅射系统腔室中进行真空处理后,采用不同磁控溅射工艺并结合退火处理,首先制备a轴取向AlN缓冲层,然后在此基础上择优取向生长AlN薄膜,由于二者晶格匹配度高,从而改善了AlN薄膜的生长质量,降低其表面粗糙度,进而有利于提高AlN薄膜的压电效应并降低声表面波的传播损耗;本发明制备过程中操作简单易行,环保节能,原材料供应充足且价格低廉,批量化生产工艺可调控,便于批量生产及应用推广,适合于制作现代通信技术中高性能通信元器件。
公开/授权文献
- CN106244984A 一种a轴取向增强型AlN薄膜及其制备方法 公开/授权日:2016-12-21
IPC分类: