一种高密度射频多芯片封装结构
摘要:
本发明涉及一种高密度射频多芯片封装结构,包括:基片(1)、基片(2)、基片(3)、壳体(4)、芯片(5)、芯片(6)、芯片(7)、芯片(8),壳体(4)组装在基片(1)上并与基片(1)围成空间,基片(2)、基片(3)、芯片(5)、芯片(6)、芯片(7)、芯片(8)均设置于空间内;芯片(6)组装在基片(1)上;芯片连接;芯片(5)组装在壳体(4)上;芯片(7)组装在基片(3)上,并通过基片(3)与壳体(4)连接,能够将若干有源芯片和若干无源器件进行三维混合高密度集成。(8)组装在基片(2)上,并通过基片(2)与基片(1)
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